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onsemi | FDMS86101

Référence fabricant

FDMS86101

FDMS86101 Series 100 V 60 A 8 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - POWER-56

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2417
Product Specification Section
onsemi FDMS86101 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 8mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 55nC
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDMS86101 is a 100 V 8 mΩ N-Channel PowerTrench® Mosfet is produced using advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance

Features:

  • Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
  • Max rDS(on) = 13.5 mΩ at VGS = 6 V, ID = 9.5 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS compliant 

Applications:

  • Automation
  • Building & Home Control
  • Consumer Appliances
  • Medical Electronics/Devices
  • Military & Civil Aerospace
  • Mobile Comm Infrastructure
  • DC-DC Conversion
Pricing Section
Stock global :
9 000
États-Unis:
9 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
10 920,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$3.64
Product Variant Information section