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Référence fabricant
IRFZ24PBF
Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Méthode de montage :Through Hole |
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Vishay IRFZ24PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFZ24PBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfz24pbf-vishay-5329453
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFZ24PBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfz24pbf-vishay-5329453
Vishay IRFZ24PBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.1Ω |
| Rated Power Dissipation: | 60|W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Méthode de montage :
Through Hole