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Référence fabricant
ISP12DP06NMXTSA1
P-Channel 60 V 2.8 A (Ta) 1.8 W (Ta) SMT Small Signal MOSFET - PG-SOT-223-4
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2244 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon ISP12DP06NMXTSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ISP12DP06NMXTSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/isp12dp06nmxtsa1-infineon-1183437
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Infineon ISP12DP06NMXTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 125mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.8W |
| Qg Gate Charge: | 20.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2.8A |
| Turn-on Delay Time: | 8ns |
| Turn-off Delay Time: | 23ns |
| Rise Time: | 9ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 790pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.30
3 000
$0.295
5 000
$0.29
10 000
$0.285
20 000+
$0.28
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4)
Méthode de montage :
Surface Mount