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Référence fabricant
NTS2101PT1G
P-Channel 8 V 65 mOhm 0.29 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-323
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-323 (SC-70) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2516 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTS2101PT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTS2101PT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nts2101pt1g-onsemi-2523934
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onsemi NTS2101PT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 8V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 100mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.29|W |
| Qg Gate Charge: | 6.4nC |
| Style d'emballage : | SOT-323 (SC-70) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NTS2101PT1G is a part of NTS2101P series P-channel power MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SOT-323 package.
Features:
- Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
- −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
- SC−70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)
- Pb−Free Package is Available
Applications:
- High Side Load Switch
- Charging Circuit
- Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, etc.
Pricing Section
Stock global :
9 000
États-Unis:
9 000
Délai d'usine :
32 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0589
9 000
$0.0575
15 000
$0.0569
60 000
$0.0552
90 000+
$0.054
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage :
Surface Mount