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STMicroelectronics | STP100N6F7

Référence fabricant

STP100N6F7

N-Channel 60 V 100 A 5.6 mOhm Flange Mount STripFET™ F7 Power Mosfet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP100N6F7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 5.6mΩ
Rated Power Dissipation: 125W
Qg Gate Charge: 30nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 100A
Turn-on Delay Time: 21.6ns
Turn-off Delay Time: 28.6ns
Rise Time: 55.5ns
Fall Time: 15ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 1980pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
22 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 870,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.01
200
$0.975
1 000
$0.945
2 000
$0.935
6 250+
$0.90
Product Variant Information section