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Référence fabricant
STW40N65M2
N-Channel 650 V 32 A 99 mOhm Through Hole MDmesh™ M2 Power Mosfet - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STW40N65M2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STW40N65M2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stw40n65m2-stmicroelectronics-5066481
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STMicroelectronics STW40N65M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 99mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 250|W |
| Qg Gate Charge: | 56.5nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$3.18
120
$3.13
450
$3.08
750
$3.06
1 500+
$3.01
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole