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Référence fabricant
ZXMP6A16DN8QTA
P-Channel (Dual) 60 V 2.9 A 85 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - SO-8
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2450 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8QTA - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ZXMP6A16DN8QTA&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/zxmp6a16dn8qta-diodes-incorporated-5083560
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Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8QTA - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 85mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.81W |
| Qg Gate Charge: | 24.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2.9A |
| Turn-on Delay Time: | 3.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 35ns |
| Rise Time: | 4.1ns |
| Fall Time: | 10ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Input Capacitance: | 1021pF |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$0.555
1 000
$0.545
1 500
$0.54
2 500+
$0.53
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount