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Référence fabricant
NTHD3100CT1G
N&P-Channel 20 V 80 mOhm 2.3 nC 1.1 W SMT Power Mosfet - ChipFET-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTHD3100CT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTHD3100CT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 80mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 2.3nC/7.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V/8V |
| Drain Current: | 2.9A/3.2A |
| Turn-on Delay Time: | 6.3ns/5.8ns |
| Turn-off Delay Time: | 9.6ns/16ns |
| Rise Time: | 10.7ns/11.7ns |
| Fall Time: | 1.5ns/12.4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.2V/1.5V |
| Height - Max: | 1.1mm |
| Length: | 3.05mm |
| Input Capacitance: | 165pF/680pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.44
6 000+
$0.43
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount