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onsemi | 2N7000-D75Z

Référence fabricant

2N7000-D75Z

2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2528
Product Specification Section
onsemi 2N7000-D75Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 5mΩ
Rated Power Dissipation: 400|mW
Style d'emballage :  TO-92
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The 2N7000-D75Z N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications.

Key Features:

  • High density cell design for low RDS(ON)
  • Voltage controlled small signal switch
  • Rugged and reliable
  • High saturation current capability

Applications:

  • Small servo motor control
  • Power MOSFET gate drivers
  • Other switching applications

Learn more about the 2N700x Series of MOSFETs

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
22 Semaines
Commande minimale :
10000
Multiples de :
2000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 240,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.129
4 000
$0.128
6 000
$0.127
8 000
$0.126
10 000+
$0.124
Product Variant Information section