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Diodes Incorporated | DMHC3025LSD-13

Référence fabricant

DMHC3025LSD-13

Dual N/P Channel 30 V 25 mΩ 11.7 nC H-Bridge Power Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2510
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V/-30V
Drain-Source On Resistance-Max: 25mΩ/50mΩ
Rated Power Dissipation: 1.5|W
Qg Gate Charge: 11.7nC/11.4nC
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :Order inventroy details
5 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
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Total 
862,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.345
5 000
$0.34
10 000
$0.335
12 500+
$0.33
Product Variant Information section