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Référence fabricant
FDMS7660
N-Channel 30 V 2.8 mOhm Surface Mount Power Trench Mosfet - Power 56
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER 56-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDMS7660 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMS7660&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/fdms7660-on-semiconductor-3479912
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onsemi FDMS7660 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Style d'emballage : | POWER 56-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMS7660 is a 30 V 2.8 mΩ N-Channel Power Trench Mosfet this device has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
It has been optimized for low gate charge, low rDS(on, fast switching speed and body diode reverse recovery performance
Features:
- Max rDS(on) = 2.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A
- Max rDS(on) = 3.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 19 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) andhigh efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
Applications:
- Automation
- Building & Home Control
- Consumer Appliances
- Medical Electronics/Devices
- Military & Civil Aerospace
- Mobile Comm Infrastructure
- DC-DC Conversion
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER 56-8
Méthode de montage :
Surface Mount