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onsemi | HUF75545S3ST

Référence fabricant

HUF75545S3ST

N-Channel 80 V 0.01 Ohm Surface Mount UltraFET Power Mosfet - TO-263AB

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi HUF75545S3ST - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.01Ω
Rated Power Dissipation: 270|W
Qg Gate Charge: 195nC
Style d'emballage :  TO-263AB
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
The HUF75545S3ST is a 80 V 0.01 Ω UltraFET N-Channel Power Mosfet. This device comes in TO-263AB package

Features:

  • Ultra Low On-Resistance
  • rDS(ON) = 0.010 Ω, VGS = 10 V
  • Simulation Models
  • Temperature Compensated PSPICE® and SABERTMElectrical Models
  • Spice and SABER Thermal Impedance Models
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • UIS Rating Curve

Applications:

  • Automotive
  • DC/ DC converters
  • Power management
  • Battery operated products
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
34 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 608,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$3.26
1 600
$3.24
2 400+
$3.21
Product Variant Information section