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Référence fabricant
IPD090N03LGATMA1
N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC OptiMOS™3 Power-Transistor - TO-252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2326 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPD090N03LGATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IPD090N03LGATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 42W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 40A |
| Turn-on Delay Time: | 4ns |
| Turn-off Delay Time: | 15ns |
| Rise Time: | 3ns |
| Fall Time: | 2.6ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1200pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.25
5 000
$0.245
25 000+
$0.24
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount