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Référence fabricant
IRF8010PBF
Single N-Channel 100 V 15 mOhm 81 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Flange Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Infineon IRF8010PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change information:Subject Phase out of Kyocera KEG300 mold compound for several assembly locations and change of lead finish from tin dip to electroplating at Tijuana, Mexico for dedicated TO220-3 & TO247-3 products.Reason:To ensure continuity of mold compound supply due to Kyocera KEG300 end of life and to further ensure our product performance with lead-free electroplating finish
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF8010PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/irf8010pbf-infineon-4720850
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF8010PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/irf8010pbf-infineon-4720850
Infineon IRF8010PBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 15mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 260|W |
| Qg Gate Charge: | 81nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Flange Mount