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Référence fabricant
SPB11N60C3ATMA1
Single N-Channel 650 V 0.38 Ohm 60 nC CoolMOS™ Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2434 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon SPB11N60C3ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SPB11N60C3ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/discretes--transistors--mosfets/spb11n60c3atma1-infineon-8060202
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Infineon SPB11N60C3ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.38Ω |
| Rated Power Dissipation: | 125W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 11A |
| Turn-on Delay Time: | 10ns |
| Turn-off Delay Time: | 44ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.9V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 4.57mm |
| Length: | 10.31mm |
| Input Capacitance: | 1200pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.96
2 000
$0.945
3 000
$0.94
4 000
$0.935
5 000+
$0.915
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount