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Référence fabricant
1N914B
1N914B Series 100 V 200 mA Axial Through Hole Small Signal Diode - DO-35
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Bag Style d'emballage :DO-35 (SOD-27) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi 1N914B - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=1N914B&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--diodes--small-signal-diodes/1n914b-onsemi-8446338
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onsemi 1N914B - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Forward Voltage: | 0.72V |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 100V |
| Reverse Recovery Time-Max: | 4ns |
| Power Dissipation: | 500mW |
| Average Forward Current-Max: | 5mA |
| Style d'emballage : | DO-35 (SOD-27) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The 1N914B is a part of 1N914 series small signal diodes. It has an operating temperature ranging from -65°C to +175°C and its available in DO-35 package.
Features:
- Maximum Repetitive Reverse Voltage: 100 V
- Average Rectified Forward Current: 200 mA
- Power Dissipation: 500 mW
- Thermal Resistance, Junction to Ambient: 300°C/W
- Total Capacitance: 4 pF
- Reverse Recovery Time: 4 ns
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Home Audio System Components
- Mobile Comm Infrastructure
- Test and Measurement
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.008
15 000
$0.0077
25 000
$0.0076
100 000
$0.0074
150 000+
$0.0072
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Bag
Style d'emballage :
DO-35 (SOD-27)
Méthode de montage :
Through Hole