Référence fabricant
MMBT5551LT1G
MMBT5551L Series 160 V 600 mA Surface Mount NPN Transistor - SOT-23
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2208 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MMBT5551LT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi MMBT5551LT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | General Purpose |
| CE Voltage-Max: | 160V |
| Collector Current Max: | 600mA |
| Power Dissipation-Tot: | 225mW |
| Collector - Base Voltage: | 180V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 0.2V |
| Emitter - Base Voltage: | 6V |
| DC Current Gain-Min: | 30 |
| Collector - Current Cutoff: | 50nA |
| Configuration: | Single |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The MMBT5551LT1G is a NPN silicon high voltage transistor with voltage of 160 V, available in a SOT-23 package.
Features:
- AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
- S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements
- These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Pricing Section
Stock global :
20 861
États-Unis:
20 861
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount