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Référence fabricant
GAN190-650FBEZ
650 V, 11.5 A, 190 mOhm, SOT8075-1
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia GAN190-650FBEZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=GAN190-650FBEZ&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--gallium-nitride-mosfets-gan-mosfets/gan190-650fbez-nexperia-5211596
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Nexperia GAN190-650FBEZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain Current: | 11.5A |
| No of Channels: | 1 |
| Qg Gate Charge: | 2.8nC |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 7V |
| Input Capacitance: | 96pF |
| Rated Power Dissipation: | 125W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
2 500+
$0.64
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount