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Référence fabricant
2N6798
HEXFET TRANSISTOR, HiRel - 200V, 5.5A, 0.400 ohm
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-39 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon 2N6798 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2N6798&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/2n6798-infineon-5127465
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Infineon 2N6798 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.42Ω |
| Rated Power Dissipation: | 25W |
| Qg Gate Charge: | 42.07nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 5.5A |
| Turn-on Delay Time: | 30ns |
| Turn-off Delay Time: | 50ns |
| Rise Time: | 50ns |
| Fall Time: | 40ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 600pF |
| Series: | HEXFET |
| Style d'emballage : | TO-39 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$18.90
4
$18.65
15
$18.41
30
$18.29
75+
$18.00
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-39
Méthode de montage :
Through Hole