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Référence fabricant
BSC030P03NS3GAUMA1
Single P-Channel 30 V 3 mOhm 140 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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Infineon BSC030P03NS3GAUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description:NO change on electrical, thermal parameters and reliability as proven via product qualification and characterization. NO change in existing datasheet parameters NO change in quality and reliability. Processes are optimized to meet product performance according to already applied Infineon specification
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC030P03NS3GAUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc030p03ns3gauma1-infineon-2060181
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC030P03NS3GAUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc030p03ns3gauma1-infineon-2060181
Infineon BSC030P03NS3GAUMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 140nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount