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Référence fabricant
BSC052N08NS5ATMA1
N Channel 80 V 95 A 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - PG-TDSON-8-7
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC052N08NS5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC052N08NS5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc052n08ns5atma1-infineon-9163045
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Infineon BSC052N08NS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 40nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 95A |
| Turn-on Delay Time: | 12ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 7ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.8V |
| Input Capacitance: | 2900pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.905
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount