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Infineon Technologies | BSP322PH6327XTSA1

Référence fabricant

BSP322PH6327XTSA1

Single P-Channel 100 V 800 mOhm 12.4 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 800mΩ
Rated Power Dissipation: 1.8|W
Qg Gate Charge: 12.4nC
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
310,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.31
2 000
$0.305
4 000
$0.30
5 000+
$0.295
Product Variant Information section