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Diodes Incorporated | DMG4496SSS-13

Référence fabricant

DMG4496SSS-13

Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.7 nC 1.42 W Silicon Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2546
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG4496SSS-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 29MΩ
Rated Power Dissipation: 1.42W
Qg Gate Charge: 4.7nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 10A
Turn-on Delay Time: 4.76ns
Turn-off Delay Time: 19.5ns
Rise Time: 3.64ns
Fall Time: 4.9ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2V
Technology: Si
Height - Max: 1.5mm
Length: 4.95mm
Input Capacitance: 493.5pF
Style d'emballage :  MSOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
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Total 
277,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.111
7 500
$0.109
37 500
$0.107
62 500+
$0.105
Product Variant Information section