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Référence fabricant
DMN2991UFB4-7B
MOSFET BVDSS 8V24V X2-DFN1006-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN2991UFB4-7B - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Chine continentale
Code HTS:
8541.21.00.75
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN2991UFB4-7B&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn2991ufb4-7b-diodes-incorporated-4164548
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN2991UFB4-7B&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn2991ufb4-7b-diodes-incorporated-4164548
Diodes Incorporated DMN2991UFB4-7B - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.99Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.36W |
| Qg Gate Charge: | 0.28nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 0.5A |
| Turn-on Delay Time: | 7.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 125ns |
| Rise Time: | 18ns |
| Fall Time: | 56.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Input Capacitance: | 14.6pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Quantité
Prix unitaire
10 000
$0.0728
20 000
$0.0716
30 000
$0.071
40 000
$0.0705
50 000+
$0.069
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount