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Référence fabricant
DMP2200UDW-7
Single P-Channel 20 V 1000 mOhm 2.1 nC 0.6 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-363
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-363 (SC-70-6, SC-88) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2540 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMP2200UDW-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMP2200UDW-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmp2200udw-7-diodes-incorporated-5061564
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Diodes Incorporated DMP2200UDW-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | -20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1000mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.6mW |
| Qg Gate Charge: | 2.1nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | -0.9A |
| Turn-on Delay Time: | 9.8ns |
| Turn-off Delay Time: | 24.4ns |
| Rise Time: | 88ns |
| Fall Time: | 45ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | -1.2V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 2.2mm |
| Input Capacitance: | 184pF |
| Style d'emballage : | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0618
9 000
$0.0603
15 000
$0.0597
60 000
$0.0579
90 000+
$0.0567
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage :
Surface Mount