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Référence fabricant
FCD5N60TM
N-Channel 600 V 0.95 Ohm Surface Mount SuperFET Mosfet - TO-252-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2512 | ||||||||||
onsemi FCD5N60TM - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FCD5N60TM&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fcd5n60tm-onsemi-5239025
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onsemi FCD5N60TM - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 950mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 54|W |
| Qg Gate Charge: | 16nC |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FCD5N60TM is a 600 V 0.95 Ω new generation of high voltage N-Channel MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.
This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy
Features:
- 650 V @TJ=150°C
- Typ. Rds(on)=0.15 Ω
- Fast Recovery Type ( trr = 160ns )
- Ultra low gate charge (typ. Qg=75nC)
- Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=165 pF)
- 100% avalanche tested
Applications:
- AC/DC
- S.M.P.S
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount