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onsemi | FDC8601

Référence fabricant

FDC8601

FDC8601 Series 100 V 109 mOhm N-Channel Shielded Gate PowerTrench Mosfet -SSOT-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDC8601 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 109mΩ
Rated Power Dissipation: 1.6|W
Qg Gate Charge: 3nC
Style d'emballage :  SSOT-6
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
24 000
Délai d'usine :
24 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
1 845,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.615
6 000
$0.605
9 000
$0.60
12 000+
$0.595
Product Variant Information section