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onsemi | FDD5680

Référence fabricant

FDD5680

N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDD5680 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.021Ω
Rated Power Dissipation: 1.3|W
Qg Gate Charge: 33nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDD5680 is a 60 V 21 mΩ N-Channel PowerTrench Mosfet Available in a TO-252 Package .

This N-Channel MOSFET is produced using PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Features:

  • 38 A, 60 V. RDS(on) = 0.021 Ω @ VGS = 10 V, RDS(on) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V.
  • Low gate charge (33nC typical).
  • Fast switching speed.
  • High performance trench technology for extremelylow RDS(on)

Applications:

  • AC-DC Merchant Power Supply - Video game console, flat Panel TV, DVR, STB
  • External AC-DC Merchant Power Supply - Wireless Communications
  • Wireless LAN Access Point/Router
  • Server & Mainframe
  • Media Tablets
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 550,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$1.42
5 000+
$1.40
Product Variant Information section