Référence fabricant
FDN357N
N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2420 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDN357N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi FDN357N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 60mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 460|mW |
| Qg Gate Charge: | 5.9nC |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDN357N is a SuperSOT™-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
Features:
- 1.9 A, 30 V, RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V, RDS(ON) = 0.060 Ω @ VGS = 10 V.
- Industry standard outline SOT-23 surface mount package
- High density cell design for extremely low RDS(ON).
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
Applications:
- Notebook
- Computers
- Portable phones
- PCMCIA cards
- Voltage applications
- Battery powered circuits
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.142
9 000
$0.139
12 000
$0.138
30 000
$0.136
45 000+
$0.134
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount