Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
IPB020NE7N3GATMA1
Single N-Channel 75 V 2 mOhm 155 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2438 | ||||||||||
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Description of Change:Capacity extension of assembly and final test location to Infineon Technologies Tijuana, Mexico for dedicated products in TO263 package.Reason for Change:Extension of assembly and final test sites for additional capacity to ensure the continuity of supply and flexible manufacturing.
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB020NE7N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb020ne7n3gatma1-infineon-9060207
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB020NE7N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb020ne7n3gatma1-infineon-9060207
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 75V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 155nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount