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Référence fabricant
IPD80R1K2P7ATMA1
Single N-Channel 800 V 1.2 Ohm 11 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2224 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPD80R1K2P7ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPD80R1K2P7ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipd80r1k2p7atma1-infineon-5092504
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Infineon IPD80R1K2P7ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 37W |
| Qg Gate Charge: | 11C |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 4.5A |
| Turn-on Delay Time: | 10ns |
| Turn-off Delay Time: | 40ns |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 20ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 300pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.425
5 000
$0.42
7 500
$0.415
12 500+
$0.41
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount