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Référence fabricant

IRFB4110PBF

Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 210 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFB4110PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.5mΩ
Rated Power Dissipation: 370W
Qg Gate Charge: 210nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 180A
Turn-on Delay Time: 25ns
Turn-off Delay Time: 78ns
Rise Time: 67ns
Fall Time: 88ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Si
Height - Max: 9.02mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 9620pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
860,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
25
$0.925
100
$0.90
300
$0.88
1 000
$0.86
3 000+
$0.82
Product Variant Information section