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Référence fabricant
IRFH6200TRPBF
Single N-Channel 20 V 0.99 mOhm 155 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :PQFN 5 x 6 mm Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Infineon IRFH6200TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject:Change of passivation at Infineon Technologies Kulim, Malaysia, for dedicated TISON, TDSON, TSDSON and IQFN productsDescription OldDie passivation - Epoxy resin material ANew:- Epoxy resin material BReason:Ensuring continuity of supply due to end of life of material from supplierIntended start of delivery 2025-08-01
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFH6200TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfh6200trpbf-infineon-7021625
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFH6200TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfh6200trpbf-infineon-7021625
Infineon IRFH6200TRPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.99mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 150|W |
| Qg Gate Charge: | 155nC |
| Style d'emballage : | PQFN 5 x 6 mm |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN 5 x 6 mm
Méthode de montage :
Surface Mount