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Référence fabricant

IRFS38N20DTRLP

Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFS38N20DTRLP - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.054Ω
Rated Power Dissipation: 3.8W
Qg Gate Charge: 91nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 43A
Turn-on Delay Time: 16ns
Turn-off Delay Time: 29ns
Rise Time: 95ns
Fall Time: 47ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 5V
Technology: Si
Height - Max: 4.83mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 2900pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The IRFS38N20DTRLP is a 200 V 44 A 3.8 W single N-Channel Hexfet Power Mosfet available in D2Pak-3 Surface mount Package.It has an Operating temperature ranging from -55 to 175°C.

Benefits:

  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications:

  • High frequency DC-DC converters

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 280,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.60
1 600
$1.59
2 400
$1.58
4 000+
$1.56
Product Variant Information section