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Référence fabricant
IRLL014NTRPBF
Single N-Channel 55V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLL014NTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLL014NTRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irll014ntrpbf-infineon-2169688
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Infineon IRLL014NTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.28Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 14nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 2.8A |
| Turn-on Delay Time: | 5.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 14ns |
| Rise Time: | 4.9ns |
| Fall Time: | 2.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | Advanced Process Technology |
| Height - Max: | 1.8mm |
| Length: | 6.7mm |
| Input Capacitance: | 230pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.165
7 500
$0.162
10 000
$0.161
25 000
$0.158
37 500+
$0.156
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount