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Référence fabricant

IRLML6302TRPBF

Single P-Channel 20 V 0.6 Ohm 2.4 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRLML6302TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6Ω
Rated Power Dissipation: 540|mW
Qg Gate Charge: 2.4nC
Style d'emballage :  MICRO-3
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
15 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
292,20 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0974
9 000
$0.0949
15 000
$0.0938
30 000
$0.0924
60 000+
$0.09
Product Variant Information section