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Référence fabricant
IXTA1N100P
MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
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| Nom du fabricant: | Littelfuse - IXYS | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2601 | ||||||||||
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXTA1N100P - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Philippines
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IXTA1N100P&field4=Littelfuse - IXYS&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ixta1n100p-littelfuse-ixys-2062629
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Littelfuse - IXYS IXTA1N100P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1000V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 15Ω |
| Rated Power Dissipation: | 50W |
| Qg Gate Charge: | 15.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 1A |
| Turn-on Delay Time: | 20ns |
| Turn-off Delay Time: | 55ns |
| Rise Time: | 26ns |
| Fall Time: | 24ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Input Capacitance: | 331pF |
| Series: | Polar |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
300
États-Unis:
300
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
50
$1.42
200
$1.40
750
$1.38
1 500
$1.37
3 750+
$1.35
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount