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Référence fabricant
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2501 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM RD3G07BATTL1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly site and Part# Change
10/17/2022 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RD3G07BATTL1&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rd3g07battl1-rohm-6163130
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ROHM RD3G07BATTL1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.1mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 101W |
| Qg Gate Charge: | 105nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 70A |
| Turn-on Delay Time: | 22ns |
| Turn-off Delay Time: | 270ns |
| Rise Time: | 90ns |
| Fall Time: | 200ns |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 5550pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$1.10
5 000
$1.09
7 500+
$1.08
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount