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Vishay | SIHB6N65E-GE3

Référence fabricant

SIHB6N65E-GE3

Single N-Channel 700 V 0.6 Ω 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SIHB6N65E-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 700V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6Ω
Rated Power Dissipation: 78|W
Qg Gate Charge: 48nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
5 000
Délai d'usine :
31 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 150,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$3.26
150
$3.22
500
$3.18
1 000
$3.15
2 000+
$3.10
Product Variant Information section