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Référence fabricant
STB28N65M2
N-Channel 650 V 0.18 Ohm 35 nC 170 W SMT MDmesh M2 Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2530 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STB28N65M2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB28N65M2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb28n65m2-stmicroelectronics-7090377
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STMicroelectronics STB28N65M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.18Ω |
| Rated Power Dissipation: | 170W |
| Qg Gate Charge: | 35nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 20A |
| Turn-on Delay Time: | 13.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 59ns |
| Rise Time: | 10ns |
| Fall Time: | 8.8ns |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 1440pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.80
2 000
$1.79
3 000
$1.78
4 000
$1.77
5 000+
$1.76
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount