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STMicroelectronics | STF7N60M2

Référence fabricant

STF7N60M2

STF7N60M2 Series 600V 0.95 Ohm N-Ch MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFET-TO-220FP

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STF7N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 950mΩ
Rated Power Dissipation: 20W
Qg Gate Charge: 8.8nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 5A
Turn-on Delay Time: 7.6ns
Turn-off Delay Time: 19.3ns
Rise Time: 7.2ns
Fall Time: 15.9ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 271pF
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
1 260,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.30
200
$1.28
750
$1.26
2 000
$1.25
5 000+
$1.23
Product Variant Information section