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Référence fabricant
STH315N10F7-2
STH315N10F7 Series 100 V 180 A 2.3 mOhm N-Ch STripFET™ F7 Power Mosfet - H PAK-2
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STH315N10F7-2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STH315N10F7-2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sth315n10f7-2-stmicroelectronics-2070427
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STMicroelectronics STH315N10F7-2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 315|W |
| Qg Gate Charge: | 180nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$2.78
2 000+
$2.75
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount