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STMicroelectronics | STP45NF06

Référence fabricant

STP45NF06

N-Channel 60 V 28 mΩ 43 nC Falnge Mount StripFET II Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP45NF06 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.028Ω
Rated Power Dissipation: 80|W
Qg Gate Charge: 43nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Fonctionnalités et applications

The STP45NF06 is a devices are an N-channel Power MOSFET realized with the latest development of STMicroelectronis unique "single feature size" strip-based process.

The resulting transistors show extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Features:

  • Exceptional dv/dt capability
  • Standard threshold drive
  • 100% avalanche tested

Applications:

  • Switching application

View the Complete family of STP4 Mosfet Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
4000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 320,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.355
200
$0.345
750
$0.34
2 500
$0.33
10 000+
$0.315
Product Variant Information section
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