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Référence fabricant
STW75N60M6-4
N-channel 600 V 36 mOhm 446 W Through Hole MDmesh™ M6 Power Mosfet - TO-247-4
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STW75N60M6-4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STW75N60M6-4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stw75n60m6-4-stmicroelectronics-2117847
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STMicroelectronics STW75N60M6-4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 36mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 446W |
| Qg Gate Charge: | 106nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 72A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 4850pF |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$6.41
10
$6.32
40
$6.26
150
$6.21
500+
$6.10
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole