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ROHM | US6J11TR

Référence fabricant

US6J11TR

Dual P-Channel 1 W 12 V 260 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TUMT-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: ROHM
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2541
Product Specification Section
ROHM US6J11TR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12V
Drain-Source On Resistance-Max: 260mΩ
Rated Power Dissipation: 1|W
Qg Gate Charge: 2.4nC
Style d'emballage :  TUMT-6
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
495,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.165
6 000
$0.163
12 000
$0.161
45 000+
$0.157
Product Variant Information section