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Référence fabricant
DD1200S17H4B2BOSA2
1700V 1200A IGBT in a IHM B package
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2 par Tray Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon DD1200S17H4B2BOSA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DD1200S17H4B2BOSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--diodes--standard-rectifiers/dd1200s17h4b2bosa2-infineon-2112446
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Infineon DD1200S17H4B2BOSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Type: | Standard |
| Configuration: | Dual |
| Average Rectified Current-Max: | 1200A |
| Forward Voltage: | 1.8V |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 1700V |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
32 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2+
$945.45
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2 par Tray
Méthode de montage :
Chassis Mount