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Référence fabricant
FDV303N
N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2425 | ||||||||||
onsemi FDV303N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDV303N&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdv303n-onsemi-6184708
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onsemi FDV303N - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.45Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.35|W |
| Qg Gate Charge: | 2.3nC |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDV303N is a 25 V 0.45 O N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions
Features:
- 25 V, 0.68 A continuous, 2 A Peak.
- RDS(ON) = 0.45 O @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 0.6 O @ VGS= 2.7 V.
- Low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits. VGS(th) 1.5 V.
- Gate-Source Zener for ESD ruggedness. 6 kV Human Body Model.
- Compact industry standard SOT-23 surface mount package.
- Alternative to TN0200T and TN0201T
Applications:
- Battery circuits
- Inverter
- compact portable electronic devices
View the complete family of N-channel mosfets
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount