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Référence fabricant
IAUC60N04S6N044ATMA1
N-Channel 40 V 60 A 42 W 4.52 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PG-TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IAUC60N04S6N044ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IAUC60N04S6N044ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iauc60n04s6n044atma1-infineon-1135368
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Infineon IAUC60N04S6N044ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.52mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 42W |
| Qg Gate Charge: | 18nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Drain Current: | 60A |
| Turn-on Delay Time: | 3ns |
| Turn-off Delay Time: | 5ns |
| Rise Time: | 1ns |
| Fall Time: | 2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.6V |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.34
10 000
$0.335
25 000+
$0.33
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount