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onsemi | NTD6415ANLT4G

Référence fabricant

NTD6415ANLT4G

Single N-Channel 100 V 83 W 20 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTD6415ANLT4G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 56mΩ
Rated Power Dissipation: 83W
Qg Gate Charge: 20nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 23A
Turn-on Delay Time: 11ns
Turn-off Delay Time: 40ns
Rise Time: 91ns
Fall Time: 71ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 2V
Technology: Si
Height - Max: 1.77mm
Length: 6.73mm
Input Capacitance: 1024pF
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
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Total 
2 387,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.955
5 000
$0.94
7 500+
$0.93
Product Variant Information section