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Référence fabricant
1N3070TR
1N3070 Series 500 mW 200 V Max Reverse Voltage 500 mA Small Signal Diode - DO-35
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Reel Style d'emballage :DO-35 (SOD-27) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi 1N3070TR - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=1N3070TR&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--diodes--small-signal-diodes/1n3070tr-onsemi-9146341
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onsemi 1N3070TR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Forward Voltage: | 1V |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 200V |
| Reverse Recovery Time-Max: | 50ns |
| Power Dissipation: | 500mW |
| Average Forward Current-Max: | 500mA |
| Style d'emballage : | DO-35 (SOD-27) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The 1N3070TR is a part of 1N30 series small signal diode. It has an storage temperature ranging from -65°C to +200° and is available in DO-35 package.
Features:
- Maximum Repetitive Reverse Voltage: 200 V
- Average Rectified Forward Current: 500 mA
- Power Dissipation: 500mW
- Thermal Resistance, Junction to Ambient: 300°C/W
- Total Capacitance: 5 pF
- Reverse Recovery Time: 50 ns
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
37 Semaines
Quantité
Prix unitaire
10 000
$0.0315
20 000
$0.031
30 000
$0.0307
40 000
$0.0305
50 000+
$0.0299
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par Reel
Style d'emballage :
DO-35 (SOD-27)
Méthode de montage :
Through Hole